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실리콘, 실리콘카바이드, 질화칼륨 — 소량 샘플(1 Lot)부터 만매 단위 양산까지, 모든 세부사양을 고객 맞춤으로 공급합니다

01Si Wafer

실리콘 웨이퍼

월 3만+ 매 공급
  • 직경 4", 5", 6", 8", 12" 전 구경 대응
  • 저항률 0.001~100 Ω·cm · 결정방향 (100), (111)
  • N type (Phos. Antimony, Arsenic) / P type (Boron)
  • Epi wafer 도 가능
이 제품 견적 요청
직경4", 5", 6", 8", 12"
두께160-525μm (3",4"), 525-675μm (5",6"), 725-750μm (8",12")
저항률0.001~100 Ω·cm
결정방향(100), (111)
도펀트P / B / As / Sb
TypeN type (Phos. Antimony, Arsenic) P type (Boron)
02SiC Wafer

실리콘카바이드 웨이퍼

월 500+ 매 공급
  • 4H-SiC · 6H-SiC 결정형, 반절연(Semi) 타입 공급
  • 두께 350 · 500 · 750μm
  • Warp ≤20 · MPD ≤0.1 품질 기준
  • Epi wafer 도 가능
이 제품 견적 요청
직경4", 6", 8", 12"
두께350μm, 500μm, 750μm
결정형4H-SiC, 6H-SiC
도핑타입4H-N, 6H-P 4H-Semi (반절연)
Warp.≤20
MPD≤0.1
03GaN Wafer

질화칼륨 웨이퍼

GaN on GaN 에피층 대응
  • Si · SiC · GaN on GaN 기판
  • GaN/AlGaN/GaN HEMT 에피층
  • 이동도 1,500~2,000 cm²/V·s · 결함밀도 1E6 cm⁻² 이하
이 제품 견적 요청
직경2", 4", 6", 8"
두께330(2"), 430(4")
기판Si, SiC, GaN on GaN
에피층GaN/AlGaN/GaN HEMT
이동도1,500~2,000 cm²/V·s
결함밀도1E6 cm⁻² 이하

※ 결제에서 납품까지 1주~4주, 고객 요구에 따라 모든 세부사양 커스터마이징이 가능합니다

Ready when you are

원하는 사양이 표에 없어도 문의해 주세요 — 세부사양 협의 후 공급 가능합니다

thekairoscoltd@gmail.com · 010-5395-4069 · 대표 이준원